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Si7945DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.05
3500
3000
0.04
2500
C iss
0.03
0.02
0.01
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
0
6
12
18
24
30
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 10.9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 10.9 A
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
I D = 10.9 A
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72090
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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